CF4四氟化碳
簡(jiǎn)介
四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅，磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗，太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)，激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)，印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。由于四氟化碳的化學(xué)穩(wěn)定性，四氟化碳可用于金屬冶煉，例如：銅、不銹鋼，碳鋼、鋁、蒙乃爾等；還可用于塑料行業(yè)；如：合成橡膠、氯丁橡膠、聚氨基甲酸乙酯。
應(yīng)用
以純四氟甲烷或者和氧氣混合的方式，用于在CVD過程之前，對(duì)二氧化硅、氮化硅、多晶硅和一些硅—金屬化合物進(jìn)行的等離子刻蝕。
四氟化碳用途
四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。
在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。
由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng)，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。
四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險(xiǎn)。
注意事項(xiàng)
四氟化碳是不燃性壓縮氣體。儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)倉(cāng)間內(nèi)。倉(cāng)內(nèi)溫度不宜超過60℃。遠(yuǎn)離火種、熱源。防止陽(yáng)光直射。應(yīng)與易燃或可燃物分開存放。驗(yàn)收時(shí)要注意品名，注意驗(yàn)瓶日期，先進(jìn)倉(cāng)的先發(fā)用。搬運(yùn)四氟化碳時(shí)輕裝輕卸，防止鋼瓶及附件破損。泄漏時(shí)，應(yīng)迅速撤離泄漏污染區(qū)人員至上風(fēng)處，并進(jìn)行隔離，嚴(yán)格限制出入。建議應(yīng)急處理人員戴自給正壓式呼吸器，穿一般作業(yè)工作服。盡可能切斷泄漏源。合理通風(fēng)，加速擴(kuò)散。如有可能，即時(shí)使用。漏氣容器要妥善處理，修復(fù)、檢驗(yàn)后再用。
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商品詳細(xì)介紹 |
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A colorless，nonflammable，high pressure gas.(一種無(wú)色不燃高壓氣體) |
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Formula(分子式)： |
CF4 |
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Molecular weight(分子量): |
88 |
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Boiling point(沸點(diǎn)): |
-78.2℃ |
-108.76°F |
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Melting point(熔點(diǎn))： |
-100.7℃ |
-149.26°F |
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Vapor pressure(蒸汽壓): |
13.8MPa（21.1℃） |
2000Psia(70°F) |
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Specific volume(比容): |
0.27m3/kg(21.1℃,101.325KPa） |
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4.4ft3/lb(70°F,14.696psia) |
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UN Number（UN號(hào)碼）: |
UN1982 |
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DOT Classification(DOT類別): |
2.2(Nonflammable Gas)(不燃性氣體) |
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DOT Lable(DOT標(biāo)簽): |
NON-FLAMMABLE GAS(不燃性氣體) |
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Grsde(級(jí)別): |
5N |
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Purity(純度): |
99.999% |
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純度 |
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Impurity(非組分): |
Specification(標(biāo)準(zhǔn)） |
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Oxygen(氧): |
≤2.0 ppmv |
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Nitrogen(氮): |
≤5.0 ppmv |
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Carbon Dioxide(二氧化碳): |
≤0.5 ppmv |
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Carbon Monoxide(一氧化碳): |
≤0.5 ppmv |
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Other Organics(其他有機(jī)物)： |
≤0.1 ppmv |
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Water(水): |
≤1.5 ppmv |
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Acidity as HF(酸化物，如氟化氫)： |
≤1.0 ppmv |
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包裝 |
容積 |
重量 |
連接閥門 |
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小鋼瓶 |
44L 47L |
31Kg |
CGA580 CGA320 DISS716 QF-011 |
應(yīng)用：以純四氟甲烷或者和氧氣混合的方式，用于在CVD過程之前，對(duì)二氧化硅、氮化硅、多晶硅和一些硅—金屬化合物進(jìn)行的等離子刻蝕。
